(조세금융신문=이한별 기자) 삼성전자는 3D V낸드 수요 증가에 대응하고자 중국 시안 반도체 사업장에 2기 라인을 건설한다고 28일 밝혔다.

이날 삼성전자는 중국 산시성(陕西省) 시안시(西安市)에서 후허핑(胡和平) 산시성 성위서기, 김기남 삼성전자 대표이사 사장 등이 참석한 가운데‘삼성 중국 반도체 메모리 제2 라인 기공식’을 실시했다.

작년 8월 삼성전자는 시안 반도체 2기 라인 투자를 위해 산시성(陕西省) 정부와 MOU를 체결한 바 있으며 향후 3년간 총 70억 불을 투자키로 했다.

이로써 삼성전자는 중국 시안에 반도체 2기 라인을 구축해 낸드플래시(V-NAND)를 필요로 하는 글로벌 IT 시장의 요구에 적극 대응 하겠다는 계획이다.

김기남 삼성전자 사장은 기념사를 통해 "시안 2기 라인의 성공적인 운영으로 최고의 메모리 반도체 제품 생산과 함께,  차별화된 솔루션을 고객에게 제공해 글로벌 IT 시장 성장에 지속 기여 하겠다"고 말했다.

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